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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 23.9: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 18:00–18:15, H17

Vergleich der oberflächeninduzierten, optischen Anisotropie von Si und Ge — •U. Rossow¹, L. Mantese² und D.E. Aspnes³ — ¹TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — ²University of Texas, Phys. Dept., Austin, TX 78712, USA — ³NCSU, Phys. Dept., Raleigh, NC27695-8202, USA

Die durch die Anwesenheit der Oberfläche bedingte Symmetrieerniedrigung induziert eine optische Ansiotropie, die sensitiv mit RDS/RAS gemessen werden kann. Die Spektren enthalten Informationen über die Oberfläche, die nur sehr schwer wieder zurückgewonnen werden kann. Als wichtiges Hilfsmittel zur Interpretation der Spektren hat sich eine Analyse der Linienform herausgestellt. Für saubere und passivierte Si-Oberflächen fanden wir, daß sich die Linienform von der dielektrischen Funktion des Volumens ableiten läßt, wobei bei der sauberen Oberfläche noch zusätzlich Beiträge von Oberflächenzuständen zu berücksichtigen sind. Das heißt, daß Oberflächen zum einen direkt über Oberflächenzustände und zum anderen über eine Modifikation der Volumenantwort beitragen. Unklar war bisher, ob sich diese Ergebnisse auch auf andere Materialien übertragen lassen. In diesem Beitrag zeigen wir, wie man durch Anwendung der Linienformanalyse auch entsprechende Spektren von Ge verstehen kann.