Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Transporteigenschaften

HL 24.10: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 18:15–18:30, H14

Ortsaufgelöste Ladungsmessung in Halbleiterstrukturen mit Hilfe von Oberflächenwellen — •H.-J. Kutschera, M. Streibl, F. Beil und A. Wixforth — CeNS und Sektion Physik der LMU, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München

Oberflächenwellen (OFW) sind ein ideales Werkzeug für die Messung von Leitfähigkeit und der Ladungsträgerverteilung in sonst unstrukturierten Halbleiterheterostrukturen. Verwendet man zur OFW-Erzeugung interdigitale Wandler mit aufgefächerten Fingern (sog. tapered IDT), können extrem schmale OFW-Pfade mit einer Breite von wenigen akustischen Wellenlängen erzeugt werden. Das Auffächern der Wandler bietet die Möglichkeit, entlang der Wandlerapertur die Position der Schallwellenerzeugung einzustellen. Durch Messung der OFW-Transmission über die Frequenz, also der Position des Schallpfads, kann eine Ladungsträgerverteilung, die sich zwischen den Wandlern befindet, abgetastet werden [1]. Die Information über die Ortsverteilung findet sich im Frequenzraum, z.B. als Dämpfung des OFW-Signals innerhalb des Bandpasses der beiden Wandler. Als eine Anwendung wird der Entwurf einer OFW-Kamera vorgestellt, mit der es möglich ist, ein auf der Probe projeziertes Bild durch die Aufnahme der Ladungsverteilung optisch angeregter Elektronen und Löcher zu detektieren. Mit Hilfe einer Bildrekonstruktionstechnik, die aus der Tomographie bekannt ist, kann ein 2D-Bild mit einer Auflösung von wenigen Wellenlängen erzeugt werden.

[1] M. Streibl et al., in Druck