Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Transporteigenschaften

HL 24.4: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 16:45–17:00, H14

Einheitliches Modell für ballistischen und diffusiven Ladungsträgertransport — •T. Weis, R. Lipperheide und U. Wille — Bereich Theoretische Physik, Hahn-Meitner-Institut Berlin, 14109 Berlin

Im Rahmen der semiklassischen Näherung wird ein einheitliches

Modell für (eindimensionalen) ballistischen und diffusiven

Ladungsträgertransport in halbleitenden Materialien entwickelt,

das für beliebige mittlere freie Weglängen und für

beliebige Bandkantenprofile Gültigkeit hat. Universelle Formeln

für die Strom-Spannungs-Charakteristik (im nicht-entarteten

Fall) und die Nullspannungs-Leitfähigkeit (im entarteten Fall)

werden angegeben, die das Wechselspiel von ballistischem und

diffusivem Transport sichtbar werden lassen. Quanteneffekte

werden in Form von Korrekturtermen berücksichtigt. Als Beispiel

wird insbesondere der Transport in poly- oder mikrokristallinen

Halbleitern betrachtet, in denen die Korngrößen

vergleichbar mit der mittleren freien Weglänge sind. Für

Ketten identischer Körner weichen die Resultate des

einheitlichen Modells erheblich von den Grenzfällen des rein

ballistischen bzw. rein diffusiven Transports ab.