Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Transporteigenschaften

HL 24.5: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:00–17:15, H14

Transport in zweidimensionalen Elektronensystemen unter dem Einfluß getriebener und statischer Ratschenpotentiale — •E. Höhberger¹, A. Lorke¹, J. P. Kotthaus¹ und W. Wegscheider² — ¹Sektion Physik und Center for Nanoscience, LMU München, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — ²WSI der TU München, Am Coulombwall, 85747 Garching

Mittels zweier elektronenstrahllithographisch definierter, kammartig strukturierter Gates, die gegeneinander versetzt ineinandergreifen, wurde im zweidimensionalen Elektronensystem einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur ein eindimensionales laterales Übergitter realisiert, dessen Symmetrieeigenschaften durch die angelegten Gatespannungen variiert werden können. Eine Analyse der im Magnetolängswiderstand auftretenden Kommensurabilitätsoszillationen bestätigt die zur Erzeugung verschiedener Symmetrieen notwendige Existenz höherer Harmonischer der Potentialmodulation. Es können sowohl Übergitter mit räumlicher Inversionssymmetrie als auch ratschenförmige Potentialmodulationen unterschieden werden. Die Form der Strom-Spannungs-Kennlinie weist in schwach modulierten Ratschen im nichtlinearen Transportregime auf eine Gleichrichtung von Ladungsträgern hin. Mithilfe einer zeitlich periodisch veränderlichen, starken Potentialmodulation konnte ferner ein Nettostrom durch die Struktur erzeugt werden. Seine Abhängigkeit von Frequenz, Modulationsstärke und Probengeometrie läßt sich im Rahmen eines einfachen Modells einer adiabatischen Elektronenpumpe verstehen.