Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Transporteigenschaften
HL 24.7: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 17:30–17:45, H14
Präparation ohmscher Kontakte auf InAs/AlGaSb 2DEG’s — •G. Müller1, M. Bibus2, G. Schmidt1, L. W. Molenkamp1, J. De Boeck3 und G. Borghs3 — 1Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 22. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — 3IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium
Obwohl laut Literaturangaben die Herstellung ohmscher Metallkontakte auf InAs wegen eines an der Oberfläche ausgebildeten 2-DEGs einfach sein soll [1], wird von vielen Seiten von schwerwiegenden Problemen berichtet. Im Rahmen von Spininjektionsexperimenten wurden verschiedene Präparationsverfahren für Co- bzw. Cr/Au-Kontakte auf InAs untersucht. Zur quantitativen Ermittlung des Kontaktwiderstandes wurden, basierend auf einer AlGaSb-InAs-AlGaSb-Heterostruktur, mehrere Transmission-Line-Measurement(TLM)-Proben hergestellt. Es wurden verschiedene naßchemische Ätztechniken zum Freilegen des InAs-Kanals benutzt. Das InAs wurde vor der Metallisierung mit verschiedenen Ätzen bzw. mittels Ar-Glimmentladung vorbehandelt. Die U/I-Kennlinien der Kontakte wurden bei 4.2K ermittelt und im Falle eines linearen Verlaufes der Kontaktwiderstand abgeschätzt. Der niedrigste Kontaktwiderstand wurde mittels Passivierung in einer (NH4)2S Lösung erzielt. Im Vortrag werden die Ergebnisse der verschiedenen Experimente beschrieben und diskutiert.
[1] P. H. C. Magnee et. al., Appl. Phys. Lett. 67, 3569 (1995)