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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Quantenpunkte (optische Eigenschaften)

HL 25.11: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 18:30–18:45, H15

Ladungsträgerdynamik in gekoppelten InP/(GaIn)P Quantenpunkten — •A. Christ¹, H. Gießen¹, W.W. Rühle¹, K. Korona², J. Kuhl², M. Zundel², Y. Manz² und K. Eberl² — ¹Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung Stuttgart

Für die Optimierung von Halbleiterlasern auf der Basis von Quantenpunkten ist das Verständnis der Dynamik der Ladungsträgerrelaxation von großer Bedeutung. Untersucht wurden gestapelte InP/(GaIn)P Quantenpunktstrukturen auf einem GaAs Substrat, wobei der vertikale Abstand der Quantenpunktlagen in den verschiedenen Proben unterschiedlich gewählt wurde (2nm, 4nm, 8nm, 16nm). Die unterschiedliche Kopplung der Quantenpunkte führt in diesen Strukturen zu deutlichen Veränderungen im Relaxationsprozeß der Elektronen. Ladungsträger tunneln in vertikaler Richtung in den gestapelten Quantenpunkten in den tiefsten Energiezustand, was sich durch eine Rotverschiebung und eine Verlangsamung im Zerfallsprozeß bemerkbar macht. Durch zeitlich und spektral aufgelöste Photolumineszenzexperimente bei resonanter Anregung konnte in den Strukturen das unterschiedliche Relaxationsverhalten der Ladungsträger gezeigt werden. Dabei wurde ebenfalls eine starke Abhängigkeit der Photolumineszenz-Zerfallszeiten von der Polarisation der Anregung festgestellt. Dies ist wahrscheinlich auf Anisotropie in der Quantenpunktgeometrie zurückzuführen. Die Ergebnisse unserer Messung können schließlich durch ein einfaches Model beschrieben werden.