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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Quantenpunkte (optische Eigenschaften)

HL 25.1: Talk

Wednesday, March 29, 2000, 16:00–16:15, H15

Vielteilchen-Effekte in InAs/GaAs Quantenpunkten — •F. Guffarth1, R. Heitz1, M. Grundmann1, I. Mukhametzhanov2, A. Madhukar2 und D. Bimberg11Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — 2Photonic Materials and Device Laboratory, University of Southern California, Los Angeles, California 90089, USA

Es wurden Vielteilchen-Effekte in selbstorganisierten InAs/GaAs Quantenpunkten, welche mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsen wurden, untersucht. Photolumineszenzspektren für Anregungsdichten bis zu 10 kW/cm2 zeigen das sukzessive Sättigen der QD-Emissionslinien mit zunehmender Anregungsdichte, was auf state-filling-Effekte zurückzuführen ist. Darüber hinaus wird eine Rotverschiebung des Grundzustandes von bis zu 16 meV und eine deutliche Zunahme der Halbwertsbreite beobachtet. Die Ergebnisse werden mit der Coulomb-Wechselwirkung mehrerer Exzitonen in den Quantenpunkten erklärt, die zu einer von der Besetzungszahl abhängigen Rotverschiebung der Grundzustandsrekombination führen. Eine detaillierte Beschreibung der experimentellen Beobachtungen erfordert es, die statistische Besetzung der Quantenpunkte zu berücksichtigen.

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