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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Quantenpunkte (optische Eigenschaften)

HL 25.4: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 16:45–17:00, H15

Strahlende Subniveau-Übergänge von Elektronen in InGaAs/GaAs Quantenpunkten — •A. Weber, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Wir berichten über Photolumineszenz(PL)-Messungen im Nah- und Mittel-Infrarot (MIR) an selbstgeordneten, mittels metall-organischer Gasphasenepitaxie gewachsenen InGaAs/GaAs Quantenpunkten (QDs). Die Anregung erfolgt durch einen Argon-Ionen-Laser; zur Analyse wird ein Fourier-Spektrometer mit MCT-Detektor eingesetzt. Das exzitonische Rekombinationsspektrum zeigt den Grundzustandsübergang bei 1.3 µm sowie angeregte Zustände. Simultan zur nah-infrarot PL werden im MIR-Bereich mehrere polarisierte Emissionspeaks von 7-24 µm beobachtet. Die Polarisationsrichtung der Emission liegt entlang ⟨ 110⟩ in der Ebene der QD-Schicht. Der Ursprung der Emission wird auf Subniveau-Übergänge der Elektronen in den QDs zurückgeführt.