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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Quantenpunkte (optische Eigenschaften)

HL 25.6: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:15–17:30, H15

Dynamik der stimulierten Emission in selbstorganisierten InAs/GaAs- Quantenpunkten — •C. Lingk¹, K. Stock², M. Arzberger², G. von Plessen¹, J. Feldmann¹, M.-C. Amann² und G. Abstreiter² — ¹Lehrstuhl für Photonik und Optoelektronik, Sektion Physik und CeNS, Ludwig-Maximilians-Universität, Amalienstraße 54, D-80799 München — ²Walter Schottky Institut, Technische Universität, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Wir untersuchen den optischen Gewinn und die Dynamik der stimulierten Emission in selbstorganisierten InAs/GaAs-Quantenpunkten. Eine Wellenleiterstruktur, die sieben Lagen InAs/GaAs-Quantenpunkte enthält, wird in einem Strichfokus an der Kante der Probe angeregt und die Emission aus den Quantenpunkten vermessen. Durch Variation der Strichlänge läßt sich die Photonendichte in der Struktur einstellen und der optische Gewinn bestimmen [1]. Wir erhalten einen Materialgewinn von 2× 10⁴ cm⁻¹. Um die Dynamik der stimulierten Emission zu bestimmen, werden in derselben Geometrie zeitaufgelöste Messungen mit Hilfe der Photolumineszenz-Aufkonversion durchgeführt. Die Erhöhung der Photonendichte mit steigender Strichlänge bewirkt eine starke Verkürzung der Emissionslebensdauer der Quantenpunkte. Der gleiche Effekt stellt sich bei einer Erhöhung der Anregungsdichte ein.

[1] K.L. Shaklee, et al., J. Lumin. 7, 284 (1973).