Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: Bauelemente
HL 26.11: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 18:30–18:45, H13
Charakterisierung der Trägerlebensdauer von Leistungsdioden mittels IR-Laserabsorption — •F. Hille1, L. Hoffmann2, H.-J. Schulze2 und G. Wachutka1 — 1Lst. f. Techn. Elektrophysik, TU München, Arcisstr. 21, 80290 München — 2Siemens AG, ZT MS 4, 81730 München
Bei der Optimierung schneller Leistungsdioden sind Verfahren zur Lebensdauereinstellung unverzichtbar geworden [1]. Eine genaue und effiziente Methode zur Lebensdauercharakterisierung ist die Freie-Ladungsträger-Absorption [2]. Sie liefert orts- und zeitaufgelöst die interne Trägerverteilung, aus der die Lebensdauer ermittelt werden kann. Auf diese Weise extrahieren wir die Korrelationen zwischen der Hochinjektionslebensdauer von platindiffundierten Leistungsdioden und der Platin-Diffusionstemperatur (variiert über einen Bereich von 40 K) sowie der Betriebstemperatur (variiert von 223 K bis 398 K). Darüberhinaus reagiert die Trägerverteilung im Durchlaß sehr sensitiv auf Inhomogenitäten im Lebensdauerprofil, die mit Hilfe elektro-thermischer Bauelementsimulation [3] interpretiert werden. Dies erlaubt eine umfassende Modellkalibrierung, was zum einen die korrekte Beschreibung des Bauelementverhaltens unter den beobachteten Betriebsbedingungen ermöglicht, zum anderen die Voraussetzung für die prädiktive Bauelementsimulation bildet.
[1] A. Porst et al., Proc. of ISPSD, Weimar, Germany, 213, (1997)
[2] R. W. Cooper, D. H. Paxman, Solid-State Elec., 21, 865, (1978)
[3] R. Thalhammer, F. Hille, G. Wachutka, Proc. of SISPAD, Leuven, Belgium, 276, (1998)