Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: Bauelemente
HL 26.3: Talk
Wednesday, March 29, 2000, 16:30–16:45, H13
UV Mikro-Ramanspektroskopie zur Messung mechanischer Verspannungen in Siliziumbauelementstrukturen — •K. Pressel1, K. F. Dombrowski1, B. Dietrich1, I. de Wolf2 und R. Rooyackers2 — 1Institut für Halbleiterphysik (IHP), walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt/Oder — 2IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgien
Wir präsentieren Messungen mechanischer Verspannungen in Siliziumbauelementestrukturen mittels UV-Mikro-Ramanspektroskopie. Der Einsatz von UV Licht (364 nm) zur resonanten Anregung von Silizium verringert die Eindringtiefe auf nur 12 nm in Si, verglichen mit mindestens 320 nm für sichtbares Licht (458 nm). Somit k*nnen Verspannungen sehr oberflächennah gemessen werden. Zusammen mit einer Ortsauflösung von 0.6 - 0.7 µm werden Bereiche hoher Verspannung sichtbar, die bei Messungen mit sichtbarem Licht durch die grosse Eindringtiefe weggemittelt werden. Besonders in der Umgebung von Strukturkanten kann so der Einfluss verschiedener Prozessparameter auf die mechanische Verspannung des Si-Substrates sichtbar gemacht werden. Dies wird an einigen Beispielen aus der Prozessierung der Shallow Trench Isolation gezeigt.