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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.5: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:00–17:15, H13

Monolitisch integrierte Smart Pixels mit einer N-i-p-i-Struktur als Modulator — •A. Ullmann¹, W. Fix¹, M. Welker¹, W. Geißelbrecht¹, P. Velling², W. Prost², F.-J. Tegude² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik 1, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel Str. 1, 91058 Erlangen — ²Elektrotechnik, Gerhard-Mercator Universität Duisburg, Lotharstr. 55, 47048 Duisburg

Wir berichteten über integrierte Smart Pixels, bestehend aus einem Empfänger mit hohem optoelektrischen Gain und einem elektro-optischen n-i-p-i Modulator. Der n-i-p-i Modulator wurde mittels epitaktischer Schattenmasken MBE hergestellt (ESM-MBE) und besitzt substratseitig einen AlAs/AlGaAs Braggreflektor. Der untere Teil der Schattenmaske besteht aus einer p-i-n-Struktur, aus der der Empfänger, bestehend aus photoleitendem Detektor und Referenzdiode, gefertigt wurde. Der Flächenbedarf pro Smart Pixel beträgt nur 50 µm x 50 µm. Mit optischen Schaltenergien von 1 pJ können optische Ausgansleistungen bis 1 mW mit einem Schaltkontrast von über 2 in einem Wellenlängenbereich von über 20 nm moduliert werden. Die Schaltzeiten sind niedrig, da die Kapazitäten der Empfänger und der Modulatoren klein sind. Die 3 dB Frequenzen liegen über 30 MHz.