Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Bauelemente

HL 26.7: Vortrag

Mittwoch, 29. März 2000, 17:30–17:45, H13

Pt/SrBi₂Ta₂O₉/CeO₂/Si(100): Eine Materialkombination für die Realisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren — •T. Haneder^1,2, W. Hönlein², H. von Philipsborn¹ und R. Waser³ — ¹Universität Regensburg, FB Physik, 93040 Regensburg — ²Infineon Technologies, Corporate Research, 81730 München — ³RWTH Aachen, Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik, 52074 Aachen

Ferroelektrische Feldeffekttransistoren, wie z.B. der MFISFET (Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor FET), könnten sich in Zukunft als wesentlicher Bestandteil der Mikroelektronik erweisen. Durch eine in das Gate integrierte ferroelektrische Schicht läßt sich der Transistor statisch aus- bzw. einschalten. Ein solcher Transistor erlaubt den Bau kleinster Speicherzellen mit zahlreichen Vorteilen gegenüber herkömmlichen mikroelektronischen Speichern und kann zur Realisierung neuronaler Netze eingesetzt werden.

Um die Eignung des Schichtsystems Pt/SrBi₂Ta₂O₉/CeO₂/Si(100) für den Bau solcher Transistoren zu untersuchen, wurden mit Hilfe von CSD-Verfahren (Chemical Solution Deposition) entsprechende Kondensatoren hergestellt und elektrisch charakterisiert. Zur weitergehenden Untersuchung wurden XRD und TEM eingesetzt. Eine Verschiebung der C(U)-Kennlinie dieser MFIS-Diode beim Hin- und Rücklauf zeigt die ferroelektrischen Eigenschaften von SrBi₂Ta₂O₉. Optimierte Kondensatoren besitzen bereits Charakteristika, wie sie für den Bau funktionierender ferroelektrischer Transistoren erforderlich sind.