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14:00 |
HL 27.1 |
Be-korrelierte Defektzentren in 4H-SiC — •M. Krieger, M. Weidner, G. Pensl, H. Bracht und N. A. Stolwijk
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14:00 |
HL 27.2 |
Ausheilverhalten des Z1-Defekts in 4H-SiC und Auswirkungen auf die Elektronenlebensdauer — •M. Weidner, Song Bai, H. Itoh, W. J. Choyke und G. Pensl
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14:00 |
HL 27.3 |
Korrelation von DLTS und Photolumineszenz in Helium-implantiertem 6H-SiC — •T. Frank, G. Pensl, Song Bai, R. P. Devaty und W. J. Choyke
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14:00 |
HL 27.4 |
Tieftemperaturphotolumineszenz von 13C angereichertem SiC-Kristallen gezüchtet nach der modifizierten Lely-Methode — •H. Sadowski, C. Peppermüller, N. Schulze, M. Laube, G. Pensl und R. Helbig
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14:00 |
HL 27.5 |
Infrared absorption spectra of 4H silicon carbide — •C. Q. Chen, R. Helbig, F. Engelbrecht, and J. Zeman
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14:00 |
HL 27.6 |
Thermochemie von Sauerstoff und Kohlenstoff in SiO2 — •C. Köhler, Z. Hajnal und Th. Frauenheim
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14:00 |
HL 27.7 |
SiO–Adstrukturen auf nichtpolaren Oberflächen in α–SiC — •E. Rauls, Z. Hajnal, P. Deák, J. Elsner und Th. Frauenheim
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14:00 |
HL 27.8 |
Kohärente Polariton- und Biexzitondynamik in CdS — •Christian Mann, Wolfgang Langbein und Ulrike Woggon
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14:00 |
HL 27.9 |
Femtosekunden-zeitaufgelöste Untersuchung der kohärenten Phononenrelaxation in CdSSe-Quantenpunkten — •P. Waltner, A. Materny und W. Kiefer
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14:00 |
HL 27.10 |
Time resolved photoluminescence in GaAs/InGaP heterostructures — •C. Rudamas, B. Al(e)n, J. Martinez-Pastor, A. Garcia-Crist(o)bal, and L. González
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14:00 |
HL 27.11 |
Wechselwirkung und Dephasierung von Exzitonen in ZnSe Quantendrähten — •H.-P. Tranitz, R. Schuster, H. P. Wagner, G. Bacher und A. Forchel
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14:00 |
HL 27.12 |
Vergleich zwischen der mikroskopischen Dichtematrixtheorie und einem Multi-Exziton-Eigenfunktionsschema — •M. Reichelt, C. Sieh, T. Meier und S.W. Koch
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14:00 |
HL 27.13 |
Direkte Untersuchung Fermi-Druck getriebener Elektron-Loch Plasma-Expansion in GaAs — •R. Ziebold, T. Witte, M. Hübner und R.G. Ulbrich
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14:00 |
HL 27.14 |
Nichtlineare optische Effekte in Systemen mit einer Fermikantensingularität — •N. Donlagic und Th. Östreich
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14:00 |
HL 27.15 |
Zeitaufgelöste Emission pulsangeregter Volumenhalbleiter — •H. Güldner, M. Moldzio und K. Henneberger
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14:00 |
HL 27.16 |
Schwellstromsenkung an ZnCdSe-basierenden Laserdioden — •O. Schulz, M. Straßburg, U.W. Pohl, D. Bimberg, A. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi, M. Klude und D. Hommel
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14:00 |
HL 27.17 |
Grenzflächenmodifizierung von Ag/InP(001) durch Arsen und Schwefel — •R.K. Gebhardt, S. Sloboshanin, J.A. Schäfer und T. Chassé
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14:00 |
HL 27.18 |
Dynamische Eigenschaften lateral komplex-gekoppelter DFB-Laser auf InP-Basis — •S. Harms, J. Hofmann, M. Kamp, A. Forchel, J.L. Gentner und L. Goldstein
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14:00 |
HL 27.19 |
Ladungsträger-Magneto-Spindynamik und Polarisationsverhalten in Vertikalemittern — •Joachim Hamm, Dietmar Preisser und Ortwin Hess
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14:00 |
HL 27.20 |
Untersuchung der biexzitonischen optischen Verstärkung in ZnSe-basierten Einzelquantentrogstrukturen — •R. Heinecke, P. Michler, U. Neukirch und J. Gutowski
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14:00 |
HL 27.21 |
Zeit- und ortsaufgelöste Elektrolumineszenzuntersuchungen an InGaN auf der Sub-Mikrometer-Skala — •W. Ibach, D. Geromichalos, O. Marti und O. Hollricher
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14:00 |
HL 27.22 |
Implantationsinduzierte Generation von Defekten in hexagonalem Galliumnitrid — •A. Krtschil, A. Kielburg, M. Lisker, H. Witte, A. Krost, J. Christen, A. Wenzel und B. Rauschenbach
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14:00 |
HL 27.23 |
Bestimmung der Polaritondispersion von GaN mit Zwei- und Dreiphotonenspektroskopie — •C. Schweitzer, D. Fröhlich, K. Reimann und T. Suski
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14:00 |
HL 27.24 |
Persistente Photoleitung in GaN- und AlGaN-Filmen — •Rolf Freitag, K. Thonke und R. Sauer
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14:00 |
HL 27.25 |
Untersuchung des Ausheilverhaltens von Gruppe-III Nitriden nach Implantation des Übergangsmetalls Hf — •K. Lorenz, R. Vianden, C.R. Abernathy, S.J. Pearton und R.M. Zavada
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HL 27.26 |
Indium Surface Segregation and Polarization Charge Screening in (In,Ga)N/GaN Single- and Multi-Quantum-Wells — •Oliver Mayrock, Hans-Jürgen Wünsche, and Fritz Henneberger
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14:00 |
HL 27.27 |
Untersuchungen zu Polarität und Ätzverhalten von GaN — •Gudrun Henn, Torsten Rupp, Michael Gross, Jens Stemmer, Hao Zhou, Helmut Schröder, Jochen Aderhold und Jürgen Graul
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14:00 |
HL 27.28 |
Temperatur- und leistungsabhä ngige Photolumineszenz-Untersuchungen an exzitonischen Ü bergä ngen in homoepitaktischem GaN — •M. Grehl, K. Kornitzer, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Lescznski, I. Grezgory und S. Porowski
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14:00 |
HL 27.29 |
Untersuchung der optischen Anisotropie von hexagonalen GaN und AlN — •S. Piekh, S. Shokhovets und G. Gobsch
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14:00 |
HL 27.30 |
Optische Spektroskopie an InGaN Quantenfilmen — •T. Stephan, M. Schmidt, H. Kalt, E. Hahn, B. Neubauer, M. Schowalter, D. Gerthsen, O. Schön und M. Heuken
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14:00 |
HL 27.31 |
Bestimmung von freien Ladungsträger-Parametern und Phononen-Eigenschaften hexagonaler GaN-Filme mittels IR-Ellipsometrie — •Alexander Kasic, Mathias Schubert, Bernd Rheinländer, Sven Einfeldt, Detlef Hommel, Bertram Kuhn, Detlef Hommel, Bertram Kuhn, Jürgen Off und Ferdinand Scholz
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14:00 |
HL 27.32 |
Magneto-Photolumeneszenz-Messungen an homoepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten — •Ulrich Stempfle
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14:00 |
HL 27.33 |
Charakterisierung tiefer Störstellen in AlGaN- Schichten — •H. Witte, E. Schrenk, M. Lisker, A. Krtschil, J. Christen, A. Krost, F. Scholz und B. Kuhn
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14:00 |
HL 27.34 |
Substitution von 117Cd(117In) in GaN nach Implantation — •Marc Dietrich, Manfred Deicher, Arno Stötzler, Ralf Weissenborn und ISOLDE-Kollaboration
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14:00 |
HL 27.35 |
Hydride Vapour Phase Epitaxy of thick GaN layers with a home-built vertical reactor — •W. Zhang, S. Rösel, D. M. Hofmann, and B. K. Meyer
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14:00 |
HL 27.36 |
Untersuchungen zum In-Einbau in InxGa1−xN-Schichten bei Laserinduzierter Reaktiver Epitaxie — •Torsten Rupp, Nikolai Wieser, Paul Allenspacher und Helmut Schröder
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14:00 |
HL 27.37 |
Röntgendiffraktometrie und Reflektometrie an AlGaN/GaN-Multiquantumwell-Strukturen — •Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, Alois Krost, O. Schön, A. Alam und M. Heuken
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14:00 |
HL 27.38 |
Phononen in kurzperiodischen kubischen und hexagonalen GaN/AlN-Übergittern — •Jan-Martin Wagner und Friedhelm Bechstedt
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14:00 |
HL 27.39 |
Untersuchung der Bandstruktur von einkristallinen GaNxAs1−x Schichten und GaNxAs1−x/GaAs Quantenschichtstrukturen — •Heiko Grüning, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Falko Höhnsdorf, Jörg Koch und Wolfgang Stolz
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14:00 |
HL 27.40 |
Clusterung von geladenen Zn-Dotieratomen in GaAs — •F. Kluge, Ph. Ebert, U. Semmler, T. Zhang, M. Simon, Zhenyu Zhang und K. Urban
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14:00 |
HL 27.41 |
Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmassen von InAs und InSb aus Messung der Magneto-Phonon-Resonanz und Einflußverschiedener Näherungen der Nichtparabolizität. — •Carsten Brink, Stefan Krull und Detlef Schneider
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14:00 |
HL 27.42 |
Sulfidische photochemische Passivierung von GaAs(001)-Oberflächen — •T. Simonsmeier, A. Ivankov und W. Bauhofer
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14:00 |
HL 27.43 |
Externe Lumineszenzquantenausbeute an AlGaAs-Quantentrogstrukturen mit direkter Bandlücke — •T. Fleck, M. Schmidt und C. Klingshirn
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14:00 |
HL 27.44 |
Organic modification of GaAs Schottky contacts — •S. Park, T. U. Kampen, W. Braun, and D. R. T. Zahn
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14:00 |
HL 27.45 |
Raman study of self-organized GaAs and AlAs islands embedded in InAs — •D. A. Tenne, V. A. Haisler, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, A. K. Gutakovsky, A. P. Shebanin, and D. R. T. Zahn
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14:00 |
HL 27.46 |
Defektanalyse an GaAs mit in-situ RBS im Temperaturbereich von 15 K bis 300 K und Bestimmung der Debyetemperatur — •Bernhard Breeger, Elke Wendler, Christian Schubert und Werner Wesch
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14:00 |
HL 27.47 |
The physics of semiconductors under pressure: a theoretical investigation of the Grüneisen parameters of tetrahedral semiconductors — •P. Pavone, B. Steininger, K. Gaál-Nagy, S. Klotz, and D. Strauch
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14:00 |
HL 27.48 |
77Br(77Se) in InAs, ein DX-artiges Zentrum — •M. Risse, R. Vianden und N. Ulbrich
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14:00 |
HL 27.49 |
Elektronische Struktur von III-V Halbleiter-Legierungen — •F. Sökeland, M. Rohlfing, P. Krüger und J. Pollmann
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14:00 |
HL 27.50 |
Optische Konstanten von n-GaAs im Energiebereich 0.75eV bis 1.55eV — •Gunnar Leibiger, Bernd Rheinlaender, Volker Gottschalch und Jaroslav Kovac
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14:00 |
HL 27.51 |
p- und n-Dotierung von GaAs in der MOVPE — •M. Pristovsek, B. Han, S. Schelm, J.-T. Zettler und W. Richter
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14:00 |
HL 27.52 |
Infrarot-optische Eigenschaften von ((Ga,In)/(P,As))m,n Übergitterstrukturen — •T. Hofmann, M. Schubert, B. Rheinländer und V. Gottschalch
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14:00 |
HL 27.53 |
Charakterisierung der spontanen Selbstordnung in GaInP und InGaAs — •T. Kippenberg, J. Spieler, P. Kiesel, P. Velling, M. Moser und G.H. Döhler
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14:00 |
HL 27.54 |
Size analysis of nanocrystals in semiconductor doped glasses with anomalous small-angle X-ray scattering and Raman scattering — •Gert Irmer, Prabhat Verma, Jochen Monecke, Günter Goerigk, and Martin Herms
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14:00 |
HL 27.55 |
Optische Phononen und elektrische Eigenschaften poröser GaP-Membranen — •Jochen Monecke, Gert Irmer, Andrei Sarua, Ivan Tiginyanu, Günter Gärtner und Hans L Hartnagel
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14:00 |
HL 27.56 |
Magnetolumineszenzspektroskopie zur Untersuchung von Unordnungseffekten in III-V Halbleiterstrukturen — •Robin Fehse, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Simone Leu und Wolfgang Stolz
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14:00 |
HL 27.57 |
Theoretical Study of Buffer Layer Effect on Open Circuit Voltage in Solar Cells — •Gottfried Heinrich Bauer
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14:00 |
HL 27.58 |
Energy output study of mc-Si solar cells with visually attractive bus bars — •R. Ebner, M. Radike, and J. Summhammer
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14:00 |
HL 27.59 |
Grain boundary oriented finger (GBOF) metalisation on multicrystalline silicon solar cells — •M. Radike and J. Summhammer
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14:00 |
HL 27.60 |
Anwendung eines einheitlichen Transportmodells auf photovoltaische Materialien — •T. Weis, R. Lipperheide und U. Wille
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14:00 |
HL 27.61 |
Wasserstoffpassivierung von kristallinen Silicium-Absorbern für Dünnschichtsolarzellen auf Glas — •T. A. Wagner, L. Oberbeck, T. J. Rinke, R. B. Bergmann und J. H. Werner
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14:00 |
HL 27.62 |
Elektrische Störstellencharakterisierung von Cu(In,Ga)Se2-D ünnschichtsolarzellen — •Marco Munzel, Carsten Deibel, Vladimir Dyakonov, Jürgen Parisi, Wolfgang Riedl und Franz Karg
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14:00 |
HL 27.63 |
Einfluß verschiedener Rekristallisationsverfahren auf die Photolumineszenzspektren von CdTe/CdS-Solarzellen — •Markus Backes, Gerhard Domann, Vladimir Dyakonov und Jürgen Parisi
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14:00 |
HL 27.64 |
Charakterisierung von monolithischen Kaskadensolarzellen — •M. Meusel, R. Adelhelm, F. Dimroth, A. Bett und W. Wettling
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14:00 |
HL 27.65 |
PAC-Spektren für simulierte Defektverteilungen in kubischen Einkristallen — •T. Dessauvagie und R. Vianden
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14:00 |
HL 27.66 |
Ausscheidungen an Versetzungen und Korngrenzen in foliengegossenem Solar-Silicium — •Helmut Gottschalk
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14:00 |
HL 27.67 |
CV measurements on Mip structures of p-doped Phtalocyanine — •Jens Drechsel, Andreas Nollau, Torsten Fritz, and Karl Leo
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14:00 |
HL 27.68 |
Haftstellenuntersuchung an organischen Dünnschichten mit der Methode des Thermisch Stimulierten Stromes — •A. Werner, J. Blochwitz, T. Fritz und K. Leo
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14:00 |
HL 27.69 |
Querschnittsrastertunnelmikroskopie an geordnetem (GaIn)P — •M. Wenderoth, K.J. Engel, A. Heinrich, T.C.G. Reusch, K. Sauthoff, R.G. Ulbrich, R. Winterhoff und F. Scholz
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14:00 |
HL 27.70 |
Investigation of cation-disorder effects in the spinel-type semiconductors CdIn2S4 and FeIn2S4 — •Igor Burlakov, Vyacheslav Samokhvalov, Sepp Unterricker, Andrei Sarua, Marc Dietrich, Viktor Tezlevan, and Ruslan Cojocaru
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