Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.1: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Be-korrelierte Defektzentren in 4H-SiC — •M. Krieger¹, M. Weidner¹, G. Pensl¹, H. Bracht² und N. A. Stolwijk² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Institut für Metallforschung, Universität Münster

Mittels 8-facher Ionenimplantation wurde in p-Typ bzw. n-Typ 4H-SiC ein Beryllium(Be)-Rechteckprofil bis in eine Tiefe von 1.8mm erzeugt; die mittlere Be-Konzentration war 1· 10¹⁶cm⁻³ für DLTS- bzw. 5· 10¹⁸cm⁻³ und 1· 10¹⁹cm⁻³ für SIMS-Untersuchungen. DLTS-Spektren im Temperaturbereich von 200K bis 650K von p-Typ 4H-SiC zeigten zwei Be-korrelierte Niveaus: E(Be1)=E_V+(536/585)meV, E(Be2)=E_V+(926/1008)meV; die Aktivierungsenergien wurden aus Arrheniusgeraden mit σ=const/σ∼ T⁻² bestimmt. DLTS-Peak Be2 ist thermisch extrem instabil; seine Höhe nimmt bereits nach Erwärmung auf 560K deutlich ab. Gleichzeitig zeigen CV-Messungen eine starke Abnahme der Netto-Akzeptorkonzentration. DLTS-Untersuchungen an Be-implantierten und bei 900⁰C/3h + 1600⁰C/30min ausgeheilten n-Typ 4H-SiC Proben zeigen 5 thermisch stabile Peaks. Die Be-Profile wurden direkt nach Implantation bzw. zusätzlicher Temperung (1400⁰C bzw. 1700⁰C, 30min) mittels SIMS bestimmt. Es zeigt sich, dass Be ähnlich wie B in SiC stark diffundiert; der Diffusionsmechanismus wird diskutiert.