Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.16: Poster
Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A
Schwellstromsenkung an ZnCdSe-basierenden Laserdioden — •O. Schulz1, M. Straßburg1, U.W. Pohl1, D. Bimberg1, A. Itoh2, K. Nakano2, A. Ishibashi2, M. Klude3 und D. Hommel3 — 1Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Sek. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Sony Corporation, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 Japan — 3Institut für Festkörperphysik, U Bremen, 28334 Bremen
Halbleiterlaserstrukturen mit ZnCdSe aktiver Zone sind zur Zeit das aussichtsreichste Materialsystem für die Herstellung von im grünen Spektralbereich emittierenden Laserdioden. Einzig die begrenzte Lebensdauer dieser Bauelemente von ca. 1000h behindert bisher noch deren kommerzielle Einführung. Um diese zu erhöhen, sind bisherein verbessertes Laserdesign sowie eine Optimierung der Kontakte kaum in Betracht gezogen worden.
Insbesondere die implantationsinduzierte Durchmischung (IID) bietet eine effektive Möglichkeit zur lateralen Strukturierung der Laserstruktur. Der durch diesen Prozeß entstehende Brechungsindexsprung in der Größenordnung 10−3 erzwingt eine Führung der Laserstrahlung, und die mit der Ionenimplantation verbundene Erhöhung des Serienwiderstandes verhindert eine Aufweichung des Stromflusses in lateraler Richtung (current spreading).
Mittels der IID, unter Verwendung eines dazu entwickelten Mehrfachschicht-Lithographie-Prozesses, ist es uns gelungen, die Schwellstromdichte von 276A/cm2 auf 96A/cm2 abzusenken. Gleichzeitig wird ein neuartiges Verfahren zur Herstellung niederohmiger p-Kontakte gezeigt, welches eine weitere Erniedrigung der Schwellstromdichte Jth ergibt.