Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.21: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Zeit- und ortsaufgelöste Elektrolumineszenzuntersuchungen an InGaN auf der Sub-Mikrometer-Skala — •W. Ibach, D. Geromichalos, O. Marti und O. Hollricher — Experimentelle Physik, Universität Ulm, Albert Einstein Allee 11, 89081 Ulm

Bei der Entwicklung von blauen Laserdioden findet das

Materialsystem InGaN große Beachtung. Durch die Änderung des

Indiumgehaltes läßt sich die Emmissionswellenlänge von blau bis

gelb durchstimmem. Die starken Indiumfluktuationen und die hohe

Störstellendichte sind für eine schlechte Quanteneffizienz

verantwortlich und sorgen somit für hohe Schwellströme in den

Dioden. Die zeitaufgelöste Spektroskopie hat in den letzten Jahren

wesentlich zum Verständnis dieser verschiedenen

Rekombinationsmechanismen und ihrer Zeitskalen beigetragen.
Wir

stellen eine Meßmethode vor mit der sich das zeitliche Verhalten

der Lumineszenz lokal auf der Diode ermitteln läßt. Da die

Ortsauflösung im Bereich der Emmissionswellenlänge (460nm) liegt,