Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.25: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Untersuchung des Ausheilverhaltens von Gruppe-III Nitriden nach Implantation des Übergangsmetalls Hf — •K. Lorenz¹, R. Vianden¹, C.R. Abernathy², S.J. Pearton² und R.M. Zavada³ — ¹Institut für Strahlen- und Kernphysik, Univ. Bonn — ²Dept. Materials Science and Engeneering, Univ. of Florida — ³U.S. Army European Research Office

Das Ausheilverhalten von GaN, InN und AlN nach Ionenimplantation wurde mit der Methode der gestörten γ γ-Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Dazu wurde die PAC-Sonde ¹⁸¹Hf(¹⁸¹Ta) mit einer Energie von 160 keV und mit einer Dosis von 1,5×10¹³cm⁻² in AlN und InN und mit einer Dosis von 2,7×10¹²cm⁻² in GaN implantiert. PAC-Spektren wurden nach isochronem Tempern in einem Temperaturbereich zwischen 200-1500^∘C aufgenommen. Die Spektren zeigen Oszillationen, die der jeweiligen Quadrupolwechselwirkungsfrequenz ν_Q entsprechen. Diese ist in GaN ν_Q=340 MHz, in InN ν_Q=665 MHz und in AlN ν_Q=625 MHz. Da bekannt ist, daß Hf in GaN nach Ausheilen der Implantationsschäden auf Ga-Plätzen eingebaut wird [1], charakterisiert die Frequenz den Gitterfeldgradienten auf dem Ga-Platz. Das Ausheilverhalten der verschiedenen Nitride weist deutliche Unterschiede auf. Die Ergebnisse der Experimente werden vorgestellt und diskutiert. (Gefördert durch BMBF Nr. MA 06.06 K)

[1] E. Alves et al., Materials Science & Engineering B - Solid State Materials for Advanced Technology, vol.59, no.1-3, 6 May 1999, pp.207-10