Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.29: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Untersuchung der optischen Anisotropie von hexagonalen GaN und AlN — •S. Piekh1, S. Shokhovets1 und G. Gobsch2 — 1Minsk, Skaryna Prosp. 65, 220027 Minsk, Belarus — 2Institut für Physik, TU Ilmenau, Weimarer Str. 32, D-98693 Ilmenau
Es wurden Schichten von hexagonalen GaN und AlN auf 6H-SiC und Si(111) Substraten mittels MBE abgeschieden,
wobei die c-Achse parallel zur Wachstumsrichtung orientiert ist. Reflexionsmessungen mit s- und p-polarisiertem
Licht weisen eine Anisotropie des Brechungsindex der Schichten nach. Die Simulation der optischen Spektren und
Messungen an unterschiedlichen Proben ergeben, daß der Effekt der optischen Anisotropie wesentlich durch die
Rauhigkeit bzw. durch eine Interfaceschicht beeinflußt werden kann. Die Oberfläche und das Interface wurden mittels
AFM-, TEM- und Reflexionsmessungen unter normalem Lichteinfall untersucht. Die Ergebnisse wurden zur Aufstellung
eines geeigneten Modells zur Anpassung spektralellipsometrischer Meßdaten im Bereich 1.2-4.5 eV verwendet. Die
erhaltenen optischen Konstanten und deren Anisotropie stimmen mit verfügbaren Ergebnissen im Transparenzbereich
überein, die mit Hilfe der Prismen-Kopplung-Methode gemessen wurden.