Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.2: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Ausheilverhalten des Z1-Defekts in 4H-SiC und Auswirkungen auf die Elektronenlebensdauer — •M. Weidner1, Song Bai2, H. Itoh3, W. J. Choyke2 und G. Pensl1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Department of Physics and Astronomy, University of Pittsburgh, USA — 3Japan Atomic Energy Research Institute, Takasaki, Japan
Mittels H+-Implantation bzw. e−-Bestrahlung bei RT wurde das Z1-Zentrum in n-Typ 4H-SiC erzeugt. Aus DLTS-Spektren wurden Z1-Konzentrationen von (1−3)· 1015 cm−3 bestimmt. Durch H+-Implantation bei 9000C bzw. Vor-Ausheilung der H+-implantierten / e−-bestrahlten Proben bei 9000C/2h wurde im Mittel eine deutliche Reduzierung der Z1-Konzentration erreicht, wobei allerdings lateral auf dem untersuchten SiC-Probenstück starke Schwankungen in der Abnahme der Z1-Konzentration auftraten. Offenbar ist das Ausheilverhalten des Z1-Zentrums von Materialinhomogenitäten abhängig. Das Defektzentrum, das den Z1-Peak im DLTS-Spektrum verursacht, führt in Tieftemperatur-Photolumineszenzspektren zu den bekannten Lγ-Linien (4H-SiC: γ=1). PL-Untersuchungen an identischen 4H-SiC-Proben bestätigen die DLTS-Ergebnisse. Weiterhin wird die Lebensdauer freier Elektronen durch den Vor-Ausheilschritt um (10-25)% erhöht. Dies ist ein Hinweis, dass das Z1-Zentrum als Rekombinationszentrum wirkt. Durch isothermes Ausheilen wurde die Aktivierungsenergie für den Vernichtungsprozess des Z1-Zentrums bestimmt.