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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.31: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Bestimmung von freien Ladungsträger-Parametern und Phononen-Eigenschaften hexagonaler GaN-Filme mittels IR-Ellipsometrie — •Alexander Kasic¹, Mathias Schubert², Bernd Rheinländer¹, Sven Einfeldt³, Detlef Hommel³, Bertram Kuhn⁴, Detlef Hommel³, Bertram Kuhn⁴, Jürgen Off⁴ und Ferdinand Scholz⁴ — ¹Fakultät für Physik und Geowissenschaften,Universität Leipzig, 04103 Leipzig — ²Center for Microelectronic and Optical Materials Research, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln 68588, USA — ³Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Fachbereich 1, 28359 Bremen — ⁴4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, 70550 Stuttgart

Infrarot-Spektralellipsometrie (IRSE) im Bereich von 300 bis 1200 Wellenzahlen wird zur IR-optischen Charakterisierung von ungefähr 1000 nm dicken undotierten, p-leitenden (Mg) sowie n-leitenden (Si) hexagonalen GaN-Filmen auf Saphir-Substrat verwendet. Die anisotrope IR-dielektrische Funktion der GaN-Schichten wird durch ein verallgemeinertes 4-Parameter-Modell parametrisiert, das die anharmonische Kopplung der LO-Phononen mit Plasmonen berücksichtigt. Aus der Modellanalyse können neben phononischen Parametern und der Hochfrequenz-DK auch die optische Beweglichkeit der freien Ladungsträger und insbesondere die effektive Elektron- und Loch-Masse in GaN bestimmt werden. Im Falle hoher Si-Dotierung treten IR-aktive, schwach polare Zusatzmoden auf. Die IRSE-Ergebnisse werden mit Raman-Untersuchungen verglichen.