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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.32: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Magneto-Photolumeneszenz-Messungen an homoepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten — •Ulrich Stempfle — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

GaN-Schichten, die mittels MOVPE homoepitaktisch auf

GaN-Volumenkristallen hergestellt wurden, zeigen in PL-Messungen

extrem scharfe Linien (FWHM ≈ 100 µeV).

Wir untersuchen die bankantennahen Emissionen von freien

Exziton-Polaritonen (XAn=1) und gebundenen Exzitonen

(D0,XAn=1), (A0,XAn=1) in Magnetfeldern

bis 6 T bei tiefen Temperaturen. In Faraday-Konfiguration

werden jeweils mehrfache Aufspaltungen in zirkular polarisierte

Komponenten und mehrere verbotene Übergänge beobachtet.

Auch im Bereich der Zwei-Elektronen-Übergänge

(1s→2p) des donatorgebundenen Exzitons werden

komplizierte Mehrfachstrukturen beobachtet.
Wir diskutieren die Niveauschemen der Übergänge und

leiten g-Faktoren der beteiligten Elektron- und Lochzustände ab.

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