Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.33: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Charakterisierung tiefer Störstellen in AlGaN- Schichten — •H. Witte¹, E. Schrenk¹, M. Lisker¹, A. Krtschil¹, J. Christen¹, A. Krost¹, F. Scholz² und B. Kuhn² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF4120, 39016 Magdeburg — ²4.Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, 77550 Stuttgart

In mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) abgeschiedenen AlGaN - Schichten (Al-Gehalte zwischen 10% -25%) wurden mit Hilfe der Methoden der Temperaturabhängigen Leitfähigkeit (TDC), Thermischen Admittanzspektroskopie (TAS) und Thermisch Stimulierten Strömen (TSC) tiefe Störstellen nachgewiesen. Ein dominantes Trap mit einer thermischen Aktivierungsenergie von 0.35 eV zeigt eine komplexe Umladungskinetik, die stark von den optischen Anregungsbedingungen abhängig ist. Weitere thermische Emissionen wurden bis zu Aktivierungsenergien von 0.66 eV gefunden und charakterisiert. Tiefe Störstellen-Band-Übergänge konnten durch die optische Admittanzspektroskopie (OAS) und die Photoleitungsspektroskopie im bandkantennahen und blauen Spektralbereich nachgewiesen werden. Es treten Störstellen mit Übergangsenergien von (50-100) meV, (300-600) meV und bei ca. 2.5 eV auf. Desweiteren wird der Einfluss dieser tiefen Störstellen auf die Photoempfindlichkeit und die persistente Photoleitung untersucht und diskutiert.