Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.34: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Substitution von ¹¹⁷Cd(¹¹⁷In) in GaN nach Implantation — •Marc Dietrich¹, Manfred Deicher¹, Arno Stötzler¹, Ralf Weissenborn¹ und ISOLDE-Kollaboration² — ¹Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78457 Konstanz — ²CERN, CH-1211 Genf 23, Schweiz

Wir berichten über das Ausheilverhalten von epitaktisch auf Saphir aufgewachsenem GaN nach Implantation mit ¹¹⁷Cd, dass zu ¹¹⁷In zerfällt (60 keV, 1.5 x 10¹² cm⁻²). In einer isochronen Anlassreihe wurden die Proben für jeweils 10 min unter Vakuum mit Al-Zugabe getempert und anschliessend mit gestörter γγ-Winkelkorrelation (PAC) vermesssen. Ab einer Temperatur von 1073 K ist der Implantationsschaden aus Sicht der PAC weitgehend ausgeheilt. 72(5)% der implantierten Sondenatome befinden sich auf einem ungestörten Gitterplatz, charakterisiert durch die Quadrupolkopplungskonstante ν_Q = 20.9(1) MHz. Aus NMR-Messungen ist bekannt, dass Cd den Ga-Platz substituiert und daher einen Akzeptor darstellt. Nach zusätzlicher Implantation von Wasserstoff (300eV, 1 x 10¹⁵ cm⁻²) konnte die Bildung von Cd-H-Paaren beobachtet werden. Der Anteil an ¹¹⁷In-Sonden, die bei 10 K Messtemperatur die für ein Cd-H-Paar charakteristische Quadruoplkopplungskonstante ν_Q = 334(8) MHz zeigen, ist mit 6(2)% jedoch gering.