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Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.36: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Untersuchungen zum In-Einbau in InxGa1−xN-Schichten bei Laserinduzierter Reaktiver Epitaxie — •Torsten Rupp, Nikolai Wieser, Paul Allenspacher und Helmut Schröder — DLR Stuttgart, Institut für Technische Physik, Pfaffenwaldring 38-40, 70569 Stuttgart

Zur Herstellung von InxGa1−xN durch Laserinduzierte

Reaktive Epitaxie (LIRE) wurde eine eutektische InGa-Legierung

mit 17% In-Gehalt in einer N2-Atmosphäre ablatiert

(Nd:YAG, 1064 nm, 30 ps, 2 mJ/Puls). Die bei verschiedenen

Substrattemperaturen deponierten, zwischen 500 nm und 1000 nm

dicken Einzelschichten wurden mittels nichtresonanter und

resonanter Ramanspektroskopie in Hinblick auf ihren In-Gehalt

sowie den Grad der Kompositionsfluktuationen untersucht. Die

Ergebnisse werden mit Röntgenbeugungs- und

Lumineszenzmessungen korreliert. Der beispielweise bei einer

Substrattemperatur von 600C erhaltene In-Gehalt von

9% zeigt, daß ein hoher Anteil des im

expandierenden Targetmaterial angebotenen Indiums in die

ternäre Legierung eingebaut wird.

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