Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.37: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Röntgendiffraktometrie und Reflektometrie an AlGaN/GaN-Multiquantumwell-Strukturen — •Fabian Schulze1, Jürgen Bläsing1, Alois Krost1, O. Schön2, A. Alam2 und M. Heuken2 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg — 2AIXTRON AG, Kackerstraße 15-17, D-52072 Aachen, Germany
Hochauflösende Verfahren der Röntgenfeinstrukturanalyse (HRXRD)ermöglichen durch Ausmessung von reziproken Gitterpunkten umfassende Aussagen zur Struktur von epitaktischen
Halbleiterschichtsystemen. Am Beispiel von AlGaN/GaN- Multi-
quantumwell-Schichtsystemen auf Saphir(0001)-Substraten werden
Messungen (Reciprocal Space Mapping) an symetrischen (0002), an
antisymmetrischen (20-24) und in-plane (20-20) Gitterpunkten,
sowie Rocking- und 2:1-scans vorgestellt. Diese liefern
Informationen zu den Schichtdicken, -verspannungen und
-konzentrationen. Sie werden ergänzt durch Messungen der
spekulären und nichtspekulären Reflektometrie (XRR,(0000)RSM), welche zusätzlich Aussagen zur Oberflächen- und
Interfacerauhigkeit, zu den Schichtdichten
und -dickenverhältnissen erlauben. Die pseudomorphen Schichtsysteme weisen Grenzflächenrauhigkeiten (rms)von unter 1nm auf.