Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.39: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Untersuchung der Bandstruktur von einkristallinen GaNxAs1−x Schichten und GaNxAs1−x/GaAs Quantenschichtstrukturen — •Heiko Grüning, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Falko Höhnsdorf, Jörg Koch und Wolfgang Stolz — FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps Universität Marburg
Mittels photomodulierter Reflexion (PR) und Photolumineszenzmessungen (PL) wurden eine Serie einkristalliner Ga(N,As) Schichten mit unterschiedlichen Stickstoffkonzentrationen und mehrere Serien Ga(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen mit unterschiedlichen Schichtbreiten und Stickstoffkonzentrationen untersucht. In einkristallinen Schichten findet ein Übergang des Stickstoffs von einer isovalenten Störstelle zu einem stickstoffinduzierten Band bei etwa xN=0.2% statt. Die Rotverschiebung des E− Bandes kann durch die Wechselwirkung des lokalisierten Stickstoffzustandes (etwa 200 meV oberhalb der Leitungsbandkante) und der GaAs-Bandkante empirisch durch ein einfaches Zwei-Band Modell beschrieben werden. Die PR-Spektren der Quantenschichtstrukturen Ga(N,As)/GaAs wurden mittels eines Oszillatormodells angepasst und daraus die Energiepositionen der optischen Übergänge ermittelt. Diese Werte wurden mit Werten, die im Rahmen eines einfachen Enveloppenmodells berechnet wurden, verglichen und so die Valenzbanddiskontinuität bestimmt.