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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.3: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Korrelation von DLTS und Photolumineszenz in Helium-implantiertem 6H-SiC — •T. Frank¹, G. Pensl¹, Song Bai², R. P. Devaty² und W. J. Choyke² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Department of Physics and Astronomy, University of Pittsburgh, USA

Zur Untersuchung intrinsischer Defekte wurden 6H-SiC Proben mit unterschiedlichen He⁺-Flüssen implantiert und bei verschiedenen Temperaturen (700⁰C bis 1700⁰C) ausgeheilt. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)- und Tieftemperatur-Photolumineszenz (TTPL)-Messungen wurden jeweils an identischen Proben durchgeführt. Aus der Korrelation zwischen DLTS Peak-Höhen und entsprechender auf die S₀ (N-korreliert) bzw. A₀ (Ti-korreliert) Peakhöhe normierten Linienhöhen in den TTPL Spektren (proportional zur Defekt-Konzentration) als Funktion des implantierten He-Flusses und der Ausheiltemperatur wird geschlossen, dass das E₁/E₂-Zentrum, welches in DLTS-Spektren beobachtet wird, und der D_I-Defekt (L_ν-Linien, ν=1, 2, 3), welcher in den TTPL-Spektren beobachtet wird, durch dasselbe Defekt-Zentrum erzeugt werden. Ein analoger Zusammenhang konnte für das Z₁/Z₂-Zentrum (DLTS) und den Defekt, der eine Linie bei der Wellenlänge von λ=4349Å in TTPL-Spektren verursacht, gefunden werden.