Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.42: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Sulfidische photochemische Passivierung von GaAs(001)-Oberflächen — •T. Simonsmeier, A. Ivankov und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik TU Hamburg-Harburg, Eißendorfer Str. 38, D-21073 Hamburg
Die hohe Dichte elektronischer Zustände an der Oberfläche von III-V Halbleitern schränkt viele Anwendungsmöglichkeiten insbesondere in der Mikroelektronik ein. Eine gezielte Behandlung der Oberfläche führt zu einer deutlichen Verbesserung dieser elektronischen Eigenschaften der Grenzschicht. Mittels Na2S bzw. (NH4)2S-Lösungen wird ein Abbau der natürlichen Oxidschicht und eine gleichzeitige Passivierung der Oberfläche mit einer Sulfidschicht erreicht. Wir konnten nachweisen, daß die Passivierung einer GaAs-Oberfläche mit abnehmender Dielektrizitätskonstante des Lösungsmittels deutlich besser und dauerhafter wird. Durch gezielte Beleuchtung der Probe während der Oberflächenbehandlung wird der Passivierungseffekt erheblich beschleunigt. Als Sonde für die Qualität der Passivierung dient die Lumineszenzintensität, da diese die nichtstrahlenden Rekombinationsprozesse bzw. die Rekombinationsgeschwindigkeit in der Oberflächenschicht berücksichtigt. Diskutiert wird die Veränderung der Photolumineszenzintensität sowie der Austrittsarbeit in Abhängigkeit der Dielektrizitätskonstanten der verwendeten Lösungsmittel. Desweiteren wird der Einfluß der Beleuchtung der Proben während der Oberflächenbehandlung auf die Lumineszenzintensität und das Degradationsverhalten der passivierten Schichten untersucht.