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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.43: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Externe Lumineszenzquantenausbeute an AlGaAs-Quantentrogstrukturen mit direkter Bandlücke — •T. Fleck, M. Schmidt und C. Klingshirn — Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, Kaiserstraße 12, 76128 Karlsruhe

Die optischen Eigenschaften des III-V-Halbleiters AlGaAs wurden in der Vergangenheit im Detail studiert und sind gut verstanden. Ein großer Vorteil dieses Materialsystems ist die geringe Gitterfehlanpassung von weniger als 0.14%, so daß sich Quantentrogstrukturen beinahe verspannungsfrei auf GaAs-Substrat wachsen lassen.
Wir haben die externe Lumineszenzquantenausbeute an Mehrfachquantentrögen bei einer Komposition von x=0.3, also einer Typ-I-Anordnung, und resonanter Anregung mit Hilfe einer in einem Kryostaten eingebauten Ulbricht-Kugel temperaturabhängig von Heliumtemperatur an aufwärts mit und ohne Substrat gemessen. Die Quantenausbeuten liegen alle unter 2% bei Heliumtemperatur und fallen exponentiell mit der Temperatur ab. Durch Abätzen des Substrats läßt sich die Effizienz bis zu einem Faktor 6 steigern. Die Unsicherheiten bei der Bestimmung der Effizienz liegen unter 15% und die Fehler bei der Temperaturbestimmung sind <0.5 K. Für den Einfluß des Substrats wurde ein Modell aufgestellt welches mit den gemessenen Ergebnissen gut übereinstimmt. Außerdem haben wir die Effizienzen der verschiedenen Rekombinationskanäle getrennt bestimmt und miteinander verglichen.