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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.46: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Defektanalyse an GaAs mit in-situ RBS im Temperaturbereich von 15 K bis 300 K und Bestimmung der Debyetemperatur — •Bernhard Breeger, Elke Wendler, Christian Schubert und Werner Wesch — FSU Jena, Inst. f. Festkörperphysik, M-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Um primär entstehende Defekte der Ion-Festkörper-Wechselwirkung in GaAs zu untersuchen, werden 200 keV Ar-Ionen bei tiefen Temperaturen implantatiert und die anschliessende RBS-Analyse durchgeführt, ohne die Probentemperatur zu ändern, so dass keine thermisch induzierte Defektumbildung möglich ist. Diese Untersuchungen zeigen nahe der Oberfläche eine höhere Defektkonzentration, als die nuklear deponierte Energie entsprechend der TRIM-Simulation erwarten lässt. Zusätzliche RBS-Messungen unter geringerem Rückstreuwinkel zeigen eine wesentlich verbesserte Übereinstimmung.

Zur Berechnung der Defektkonzentration aus den RBS-Spektren wird das Programm DICADA2 verwendet. Bei der RBS-Messung in Kanalisierungsrichtung werden Ionen jedoch nicht nur von Defekten, sondern auch von Gitterschwingungen, deren Amplitude temperaturabhängig ist, dekanalisiert. Dieser Einfluss wird durch einen Parameter, die Debyetemperatur, charakterisiert. Zur Bestimmung dieser wurde zunächst am perfekten Kristall die Minimalausbeute rückgestreuter Ionen in Kanalisierungsrichtung im entsprechenden Temperaturbereich gemessen. Mit Hilfe des Computerprogramms DICADA2 lässt sich bei Kenntnis der Debyetemperatur die wahre Defektkonzentration unter Berücksichtigung der thermischen Gitterschwingungen bestimmen.