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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.49: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Elektronische Struktur von III-V Halbleiter-Legierungen — •F. Sökeland, M. Rohlfing, P. Krüger und J. Pollmann — Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Institut für Theoretische Physik II, Wilhelm Klemm Str. 10, 48149 Münster

In unserem Beitrag präsentieren wir unter Verwendung der Dichtefunktional Theorie berechnete ab-initio Bandstrukturen für eine Reihe kubischer III-V Halbleiter-Legierungen. Die Beschreibung der Legierungen erfolgt im Rahmen der Virtual-Crystal-Approximation (VCA) unter Verwendung konzentrationsabhängiger Pseudopotentiale. Stellt man die fundamentale Bandlücke als Funktion der Konzentration dar, so zeigt sich ein schwach nichtlinearer Verlauf (bowing). In allen Bandstrukturen manifestieren sich jedoch auch Unzulänglichkeiten der konventionellen DFT und der VCA. Durch die Einbeziehung von Selbstwechselwirkungs- und Relaxationskorrekturen (SIRC) gelangen wir zu einer deutlich besseren Beschreibung der elektronischen Zustände, stellen aber auch hier einen nur schwach nichtlinearen Verlauf der Bandlücke fest. In einem letzten Schritt untersuchen wir die Auswirkungen von konzentrationsgemittelten Semicore-Zuständen auf die berechneten elektronischen Strukturen.