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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.50: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Optische Konstanten von n-GaAs im Energiebereich 0.75eV bis 1.55eV — •Gunnar Leibiger¹, Bernd Rheinlaender¹, Volker Gottschalch² und Jaroslav Kovac³ — ¹Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, 04103 Leipzig — ²Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Chemie und Mineralogie, 04103 Leipzig — ³Slovakische Technische Universitaet, 81219 Bratislava, Slowakei

Es wurden die optisch-dielektrischen Funktionen von fuenf

verschieden stark dotierten n-GaAs-Proben im Energiebereich

0.75eV - 1.55eV mittels spektroskopischer Ellipsometrie bestimmt.

Die Ladungstraegerkonzentrationen sind mit Hall-Messung bzw.

IR-Ellipsometrie ermittelt worden und reichen von ca. 10E9cm(-3)

bis 3*10E18cm(-3). An den Verlaeufen des Brechungs- bzw.

Absorptionsindex kann man eine Blauverschiebung der Bandluecke

mit steigender Ladungstraegerkonzentration ablesen. Dies laesst

sich durch die Burstein-Moss-Verschiebung erklaeren. Die

erhaltenen Brechungsindizes und Bandluecken werden mit

Literaturdaten verglichen.