Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.51: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
p- und n-Dotierung von GaAs in der MOVPE — •M. Pristovsek, B. Han, S. Schelm, J.-T. Zettler und W. Richter — TU-Berlin, PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Wir haben mittels in-situ Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) das Wachstum von dotierten GaAs-Schichten in der Metallorganischen Gasphasenepitaxie untersucht. Dotierstoffe waren Silan (n-Dotierung) bzw. Kohlenstoff aus dem TMGa (intrisische p-Dotierung). Die Dotierung wurde mit ex-situ Hall- bzw. C/V-Profilmessungen verglichen. Das in-situ RAS-Signal zeigte oberhalb von 1017 cm−3 bis mindestens 1018 cm−3 eine lineare Abhängigkeit von der Dotierung.
Bei intrinsischer p-Dotierung werden die GaAs (001) Schichten mit sehr geringen V/III-Verhältnissen (0,8....5) gewachsen. Bei V/III kleiner ≈ 2 ändert sich die Wachstumsrekonstruktion. Damit korreliert nimmt die p-Dotierung wieder ab. Wir haben die während des Wachstums gemessenen RAS-Spektren mit denen aus anderen Messungen korreliert. Ein daraus abgeleiteter Mechanismus zum Kohlenstoffeinbau wird diskutiert.