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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.52: Poster
Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A
Infrarot-optische Eigenschaften von ((Ga,In)/(P,As))m,n Übergitterstrukturen — •T. Hofmann1, M. Schubert2, B. Rheinländer1 und V. Gottschalch3 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Linnéstraße 5, D-04103 Leipzig, Deutschland — 2University of Nebraska, Center for Microelectronic and Optical Materials Research, Lincoln, NE, 68502, U.S.A. — 3Universität Leipzig, Fakultät für Chemie und Mineralogie, Linnéstraße 3,D-04103 Leipzig, Deutschland
Mittels Infrarot-Ellipsometrie und Ramanstreuexperimenten werden die Eigenschaften der Gittermoden sowie der freien Ladungsträger von III-V Halbleiterschichtstrukturen untersucht. Dazu wurden kurzperiodische Übergitter { InAs}n /{ GaAs }m und { InP }n/ { AlInP }m auf GaAs, sowie { InP }n/ { GaP }m auf GaP und { GaP }n/ { InP }m auf InP Substraten mittels MOVPE dargestellt (n=1 … 2ML, m=1ML … ∼ 45nm). Die Eigenschaften einzelner isovalenter InAs Monolagen in homoepitaktischen GaAs Schichten werden ebenfalls untersucht. Wir beobachten eine zunehmende Verspannung der Übergitterstrukturen mit abnehmender Barrierendicke. Gleichzeitig treten neue Moden infolge der Brillouinzonenfaltung auf. Diese können in erster Näherung mit dem elastischen Kontinuumsmodell berechnet werden.