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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.53: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Charakterisierung der spontanen Selbstordnung in GaInP und InGaAs — •T. Kippenberg¹, J. Spieler¹, P. Kiesel¹, P. Velling², M. Moser³ und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin–Rommel–Str. 1, 91058 Erlangen — ²Halbleitertechnik/Halbleitertechnologie,Lotharstr. 55 LT, 47048 Duisburg — ³CSEM, Badenerstr. 569, 8048 Zürich

In vielen ternären III-V Hableitern bildet sich unter bestimmten Wachstumsbedingungen bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie spontan ein monoatomares Übergitter aus. Für GaInP (auf GaAs) und InGaAs (auf InP) besteht dieses aus gallium- bzw. indiumreichen Ebenen, die sich entweder entlang der [111]_B oder [111]_B Richtung abwechseln.

Die gegenüber ungeordnetem Material reduzierte C_3V Symmetrie bewirkt ein Zonenrückfalten verschiedener Punkte des reziproken Raums auf den Γ Punkt. Daraus resultieren signifikante Veränderungen sowohl der optischen als auch der elektrischen Eigenschaften des Materials.

In diesem Beitrag zeigen wir vergleichend Ergebnisse optischer und elektrooptischer Messungen an beiden Materialien. Die untersuchten Parameter (Anisotropie im Bereich der Bandlücke, Valenzbandstruktur am Γ Punkt und höhere, ordnungsinduzierte Leitungsbandzustände) geben für beide Materien genauen Aufschluß über die Stärke und Symmetrie der vorliegenden Ordnung. Unter anderem zeigen unsere Messungen deutlich, daß bei geeigneter Substratorientierung eine Überstruktur beider möglichen Ordnungsrichtungen auftritt, die zu einer weiteren Symmetriereduzierung längs der Σ Richtung führt.