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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.55: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Optische Phononen und elektrische Eigenschaften poröser GaP-Membranen — •Jochen Monecke¹, Gert Irmer¹, Andrei Sarua^1,2, Ivan Tiginyanu², Günter Gärtner³ und Hans L Hartnagel⁴ — ¹Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, Bernhard-von-Cotta-Str. 4, D-09596 Freiberg — ²LLDSS, Technical University of Moldova, Bd. Stefan cel Mare 168, MD-2004 Chisinau, Moldova — ³Institut für Experimentelle Physik, TU Bergakademie Freiberg, Silbermannstr. 8, D-09596 Freiberg — ⁴Institut für Hochfrequenztechnik, TU Darmstadt, D-64283 Darmstadt

Aus (100)- und (111)- orientierten GaP LEC-Kristallen wurden

durch elektrochemisches Ätzen poröse Membranen hergestellt

und mittels Mikroraman- und Infrarotfourier- (IR-FT)

Spektroskopie sowie Hallmessungen untersucht. Aus SEM-Aufnahme

wurden Porendurchmesser und -abstände von ca. 50 nm ermittelt.

Raman-Messungen zeigen zwischen den TO- und LO- Phononenmoden

zusätzliche sogenannte Fröhlich-Moden, deren Frequenz von der

Dielektrizitätskonstante des die Poren füllenden Mediums

abhängt. Mittels IR-FT Spektroskopie wurde die LO-TO-Ausspaltung

der Fröhlich-Mode beobachtet. Durch Hallmessungen sowie

Raman-Messungen an gekoppelten LO-Phonon-Plasmon-Moden wurden

die elektrische Eigenschaften der porösen Membranen bestimmt

und mit Berechnungen des Ladungsträgerprofils des GaP-Skeletts

durch Lösung der Poisson-Gleichung verglichen.