Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.60: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Anwendung eines einheitlichen Transportmodells auf photovoltaische Materialien — •T. Weis, R. Lipperheide und U. Wille — Bereich Theoretische Physik, Hahn-Meitner-Institut Berlin, 14109 Berlin

Ein einheitliches Modell für semiklassischen Ladungsträgertransport in Halbleitern wird auf die Untersuchung der Transporteigenschaften von photovoltaischen Materialien angewendet. Das Modell ist gültig für beliebige mittlere freie Weglängen und beliebige Bandkantenprofile und schließt den rein ballistischen und den rein diffusiven Transport als Grenzfälle ein. Konkret untersucht wird der Transport in poly- und mikrokristallinen Materialien, in denen die Korngrößen mit der mittleren freien Weglänge vergleichbar sind. Die Korngrenzen in diesen Materialien werden im Rahmen des Trapping-Modells beschrieben. Um den Effekt der Beleuchtung zu berücksichtigen, werden Nichtgleichgewichts-Bandkantenprofile unter der Annahme flacher Quasi-Fermi-Niveaus mit einer der AM1.5-Beleuchtung entsprechenden Aufspaltung berechnet. Für die Dunkel- und Photo-Leitfähigkeiten von Ketten i.a. nicht-identischer Körner weichen die Resultate des einheitlichen Modells um bis zu einer Größenordnung von denen des ballistischen bzw. des diffusiven Grenzfalls ab.