Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.62: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Elektrische Störstellencharakterisierung von Cu(In,Ga)Se₂-D ünnschichtsolarzellen — •Marco Munzel¹, Carsten Deibel¹, Vladimir Dyakonov¹, Jürgen Parisi¹, Wolfgang Riedl² und Franz Karg³ — ¹Universität Oldenburg, FB Physik Energie- und Halbleiterfor schung, 26111 Oldenburg — ²Siemens AG, 80807 München — ³Siemens Solar GmbH, 80807 München

Wichtige Kenngrößen von Dünnschichtsolarzellen ergeben sich aus i hren Strom–Spannungs(I–V)-Kennlinien. Zur Charakterisierung von Störs tellen wurden an Cu(In,Ga)Se₂/CdS/ZnO-Zellen I-V-Kennlinien temperat urabhängig von 80 bis 300K und beleuchtungsintensitätsabhängig von 0 bis 100mA/cm² mit einer spektral der Sonne ähnlichen Lichtquelle gemessen. Es ergeben sich deutliche Abweichungen gegenüber einer ideal isierten Solarzelle, wie beispielsweise das stellenweise Sättigen des S tromes in Vorwärtsrichtung bei tieferen Temperaturen und das Überschn eiden der Hellkennlinie mit der Dunkelkennlinie. Diese Effekte können m it tiefen Störstellen in Verbindung gebracht werden und lassen sich dur ch Anregung mit blauem Licht teilweise unterdrücken. Einen Hinweis auf die räumliche Lage der Störstellen in der Cu(In,Ga)Se₂-Absorbers chicht liefern Messungen der externen Quanteneffizienz.