Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.63: Poster
Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A
Einfluß verschiedener Rekristallisationsverfahren auf die Photolumineszenzspektren von CdTe/CdS-Solarzellen — •Markus Backes, Gerhard Domann, Vladimir Dyakonov und Jürgen Parisi — Carl von Ossietzky Universität Oldenburg, Fachbereich Physik
Aufgrund seiner physikalischen und chemischen Eigenschaften ist CdTe ein ideales Basismaterial für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen. Mit CdS als Fenstermaterial sind Wirkungsgrade von bis zu 16% erreicht worden. Zur Herstellung leistungsfähiger CdTe-Solarzellen ist ein Rekristallisationsprozeß erforderlich. In der Regel wird hierbei der Einfluß von CdCl2 genutzt. Aufgrund der extremen Giftigkeit und der daraus resultierenden schwierigen Handhabung von CdCl2 bei der industriellen Fertigung von Solarzellen wurden alternative Rekristallisationsverfahren untersucht. Dabei wurden Zellen mit ähnlicher Leistungsfähigkeit erreicht. Es wurden Photolumineszenzspektren unterschiedlich rekristallisierter CdTe/CdS-Zellen aufgenommen. Anhand der Variation der Photolumineszenzsignale konnte der Einfluß des Rekristallisationsverfahrens auf die vorherrschenden Rekombinationsprozesse und damit auf die elektronische Struktur des Materials untersucht werden.