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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.65: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

PAC-Spektren für simulierte Defektverteilungen in kubischen Einkristallen — •T. Dessauvagie und R. Vianden — Institut für Strahlen- und Kernphysik, Univ. Bonn

Eine systematische PAC-Untersuchung einer unkorrelierten Schädigung des Halbleiters InP durch Implantation zeigte, daß bereits sehr geringe Defektkonzentrationen zu deutlichen Änderungen in den PAC-Spektren führten [1]. Die üblichen Beschreibungen solcher Spektren mit gauss- oder lorentzförmigen Frequenzverteilungen charakterisieren die Defekteigenschaften nur sehr unbefriedigend. Um ein besseres Verständnis dieser Eigenschaften zu erreichen wurde ein Simulationsprogramm erstellt, das PAC-Spektren von simulierten Defektverteilungen in kubischen Einkristallen für Sondenkerne mit I=5/2 berechnet.

Das Prinzip der Simulation besteht darin, einen Halbleiterkristall mit statistisch verteilten Punktdefekten zu simulieren. Durch eine Monte-Carlo-Routine werden dann Punktdefekte in einem kubischen Volumen (ca. 500.000 Atome) um einen Sondenkern (z.B. ¹¹¹In) simuliert. Hierfür wird der resultierende elektrische Feldgradient im Punktladungsmodell und aus diesem die Störfunktion berechnet. Durch Mittelwertbildung erhält man die Gesamtstörfunktion.

Die berechneten Spektren der simulierten Defektverteilungen lassen im Vergleich mit gemessenen Spektren von unkorreliert geschädigten Einkristallen Aussagen über Abschirmungseffekte („ screening “), Defektladung und -konzentration zu.

[1] Bezakova et al., Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 13, 1923-25