Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.66: Poster

Mittwoch, 29. März 2000, 14:00–19:00, A

Ausscheidungen an Versetzungen und Korngrenzen in foliengegossenem Solar-Silicium — •Helmut Gottschalk — Uni Köln, II. Physikalisches Institut, Exp. Festkörperphysik, Zülpicher Str. 77, D-50937 Köln

In Si-Solarzellenmaterial, das in einem Foliengießverfahren hergestellt wird, liegen die Konzentrationen von Kohlenstoff und Sauerstoff in der Regel in der Nähe der Löslichkeitsgrenzen. Deshalb sind Ausscheidungen zu erwarten, die sich als lückenlose Ketten bevorzugt an Versetzungen und Korngrenzen anlagern. Es wird ein Ätzverfahren angegeben, das nur das Si, nicht aber die Ausscheidungen angreift. Die Ausscheidungsketten bleiben als Rückstände auf der geätzten Probenoberfläche liegen und können im Rasterelektronenmikroskop untersucht werden. Die Bilder zeigen sehr anschaulich die Anordnung der Versetzungen in einem Vergrößerungsbereich, der eine großflächige Übersicht ermöglicht, die mit TEM-Untersuchungen nicht annähernd erreicht wird.