Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.68: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
Haftstellenuntersuchung an organischen Dünnschichten mit der Methode des Thermisch Stimulierten Stromes — •A. Werner, J. Blochwitz, T. Fritz und K. Leo — Institut für angewandte Photophysik, Technische Universität Dresden, D-01062 Dresden, Germany
Organische Dünnschichten werden mit der Methode des thermisch stimulierten Stromes (TSC) auf die Existenz von Ladungsträgerhaftstellen (Traps) untersucht. Dies erlaubt die Charakterisierung der Einflüsse des Präparationsprozesses und der Reinheit der verwendeten Substanzen auf Zustände in der Bandlücke. Es erfolgt ein Vergleich zwischen in-situ und ex-situ-Untersuchungen. Für dominierende Haftstellen kann die Traptiefe bestimmt werden. Zum Beispiel werden in tris-8-(hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) Traps mit Tiefen von 0,54 bzw. 0,49 eV gefunden. Für Proben mit Alq3 verschiedener Hersteller ergeben sich signifikant differierende TSC-Spektren. Die Korrelation der Trapverteilung mit den Photolumineszenzeigenschaften der Schichten wird untersucht.