Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)

HL 27.69: Poster

Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A

Querschnittsrastertunnelmikroskopie an geordnetem (GaIn)P — •M. Wenderoth¹, K.J. Engel¹, A. Heinrich¹, T.C.G. Reusch¹, K. Sauthoff¹, R.G. Ulbrich¹, R. Winterhoff² und F. Scholz² — ¹4. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — ²4. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart

Unter geeigneten Wachstumsbedingungen bei metallorganischer-Gasphasen-Epitaxie (MOVPE) zeigt (GaIn)P ein natürliches Übergitter langreichweitiger Ordnung, welche sich durch alternierende Folgen von galliumreichen und indiumreichen (111)-Gitterebenen darstellt (CuPt_B-Struktur). Mit Hilfe der Querschnittsrastertunnelmikroskopie (XSTM) haben wir die {110} Oberflächen von teilgeordnetem (GaIn)P untersucht. Das natürliche Übergitter der langreichweitigen Ordnung konnte bei negativer Probenspannung für verschiedene nicht äquivalente (110) Flächen atomar aufgelöst werden. Aufgrund der unterschiedlichen Orientierung der {111}_B geordneten Gitterebenen hinsichtlich der {110} Flächen werden zum ersten Mal charakteristische Kontraste beobachtet, die sich mit der unterschiedlichen Anzahl von Indium- und Galliumatomen in der nächsten Nachbarschaft der abgebildeten P-Atome beschreiben lassen. In spektroskopischen Messungen finden wir auf der (110) Fläche eine empfindliche Abhängigkeit der RTM-Bilder von der Höhe der negativen Probenspannung.