Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Poster II: SiC (1-7), Ultrakurzzeitdynamik (8-15), Halbleiterlaser (16-20), GaN (21-38), III-V Halbleiter (39-56), Photovoltaik (57-64), Störstellen (65-68), Tern
äre Halbleiter (69-70)
HL 27.7: Poster
Wednesday, March 29, 2000, 14:00–19:00, A
SiO–Adstrukturen auf nichtpolaren Oberflächen in α–SiC — •E. Rauls1, Z. Hajnal1, P. Deák2, J. Elsner1 und Th. Frauenheim1 — 1Universität Paderborn, Fachbereich Theoretische Physik — 2Dept. of Atomic Physics, TU Budapest,Budafoki út 8, H-1111 Budapest, Hungary
Die nichtpolaren (1010)– und (1120)–Oberflächen in 4H– und 6H–SiC,
welche die Innenwände von Micropipes bilden,
wurden untersucht. Dabei stellen sich die idealen (1010)–Oberflächen
in 4H und 6H im Gegensatz zu den bereits früher
untersuchten 2H–Oberflächen [1] als ”uneben”
heraus. Die Relaxation der Oberfläche wird bei diesen beiden Polytypen
dadurch erschwert, daß einige der Oberflächenatome
ausschließlich vierfach koordinierte Nachbarn besitzen. Dies führt zu
einer vergleichsweise hohen Oberflächenenergie.
Eine Stabilisierung wird z. B. durch Si–Adstrukturen erreicht.
Si–O–Adstrukturen führen bei Temperaturen unterhalb von ≈1500 K
zu einer Energieabsenkung, so daß die Oberflächenenergien im
experimentell für die Innenwände von Micropipes gefundenen Energiebereich
liegen [2]. Eine aus den gleichen Strukturelementen
aufgebaute Adstruktur führt auch bei den (1120)–Oberflächen
zu einer Stabilisierung gegenüber der idealen Oberfläche.
Mit Hilfe dieser Adstrukturen wurden für beide nichtpolaren Richtungen
völlig passivierte Oberflächen gefunden.
[1] E. Rauls, J. Elsner, R. Gutierrez, Th. Frauenheim, Sol. Stat. Comm. 111 (1999) pp. 459–464.
[2] J. Heindl and H.P. Strunk, phys. stat. sol. (b) 193 (1996).