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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Symposium: Infrarot-oberfl
ächenemittierende Halbleiterlaser

HL 29.1: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 10:30–11:00, H01

GaAs-basierende VCSELs für hochbitratige optische Datenübertragung — •Felix Mederer, Roland Jäger, Max Kicherer, Heiko Unold und Karl Joachim Ebeling — Abt. Optoelektronik,Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, 89069 Ulm

Durch den Boom im Internet- und Intranet-Bereich kommt es zu einem zunehmenden Bedarf an Übertragungskapazität bis hin zum Endnutzer. Vertikallaserdioden (vertical-cavity surface-emitting lasers, VCSELs) mit einer Emissionswellenlänge von 850 nm, 950 nm und 1130 nm zeichnen sich durch rauscharme Emission, hohe Modulationsbandbreiten, niedrige Schwellströme und hohe Wirkungsgrade aus. Das einfache On-Wafer-Testen und die hocheffiziente Fasereinkoppeltechnik ohne zusätzliche Optik machen diese Laserdioden zu idealen Sendeelemente für eine preiswerte Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung über optische Fasern. Mit einmodig emittierenden Bauelementen der neuesten VCSEL-Generation konnten Datenraten von 12.5 Gbit/s, entsprechend etwa 195000 Telefon-ISDN-Kanälen, über 1.2 km Einmodenglasfaser und 100 m Mehrmodenglasfaser übertragen werden.