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HL: Halbleiterphysik
HL 29: Symposium: Infrarot-oberfl
ächenemittierende Halbleiterlaser
HL 29.4: Fachvortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 12:00–12:30, H01
Quantenpunkte für oberflächenemittierende Laser bei 1300 nm — •M. Grundmann1, F. Hopfer1, M. Mao1, N.N. Ledentsov1,2, F. Heinrichsdorff1, R. Sellin1, V.M. Ustinov2 und D. Bimberg1 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — 2A.F. Ioffe-Institut, St. Petersburg, Russia
Oberflächenemittierende Laser (VCSEL) auf GaAs Substrat bei 1300 nm werden einen großen Markt in der Datenkommunikation finden. Wir berichten über das Design und die Herstellung von InGaAs Quantenpunkten (QP) mit einer Emissionswellenlänge bei 1300 nm. Hierzu sind vergleichsweise große QP notwendig, die zudem noch (für einen hohen modalen Gewinn) in hoher Dichte defektfrei hergestellt werden müssen. Dies gelang sowohl mit dem Konzept
der Saatschichten als auch durch Nutzung der stressor-induzierten Dekomposition eines darübergewachsenen InGaAs Quantenfilms. Geringe Schwellenstromdichten <100 A/cm2 und hohe T0-Werte konnten realisiert werden. Die QP-Technologie kann mit der auf GaAs/AlAs-Schichten basierenden Spiegeltechnologie für VCSEL kombiniert werden.