Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 29: Symposium: Infrarot-oberfl
ächenemittierende Halbleiterlaser

HL 29.5: Fachvortrag

Thursday, March 30, 2000, 12:30–13:00, H01

GaSb/AlGaSb VCSEL - Strukturen und Mikroresonatoren im 1.5 µm Wellenlängenbereich — •J. P. Reithmaier, J. Koeth, R. Dietrich und A. Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Für vertikal emittierende Laserstrukturen im Wellenlängenbereich um 1,5 µm ist es sehr schwierig aufgrund des geringen Brechungsindexunter-schieds der konventionell verwendeten, auf InP-basierenden Materialien hochreflektierende Bragg-Spiegel monolithisch herzustellen. Eine Alternative dazu stellt das (AlGa)Sb-Materialsystem dar. Durch den hohen Brechungsindexunterschied reichen bereits ca. 15 Spiegelpaare aus um 99,99 % Reflektivität zu erzielen. Trotz der grossen Gitterfehlanpas-sung von ca. 7 % zwischen (AlGa)Sb und GaAs ist es möglich qualitativ hochwertige Bragg-Resonatoren mit Q-Faktoren > 1000 herzustellen. Bragg-Resonatoren mit drei GaSb-Quantenfilmen konnten mit optischer Anregung zur Laseremission stimuliert werden. Durch zusätzliche laterale Strukturierung ist es möglich Mikroresonatoren herzustellen, die ein vollständig diskretisiertes Modenspektrum zeigen. Die Resultate werden diskutiert im Vergleich zu GaAs/AlAs-Mikroresonatoren.