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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Symposium: Infrarot-oberfl
ächenemittierende Halbleiterlaser

HL 29.6: Fachvortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 13:00–13:30, H01

Design und Optimierung oberflächenemittierender (GaIn)(NAs)/GaAs Laser — •M. Hofmann, A. Wagner, C. Ellmers, F. Höhnsdorf, J. Koch, S. Leu, W. Stolz und W. W. Rühle — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg, Renthof 5, 35032 Marburg

Das Materialsystem (GaIn)(NAs)/GaAs erlaubt die Realisierung von Halbleiterlasern mit Emission bei 1300 und eventuell auch 1550 nm auf Basis von GaAs Substraten. Daher können vor allem auch oberflächenemittierende Halbleiterlaser (engl. Vertical-cavity surface-emitting lasers, VCSELs) für diese Spektralbereiche mit der etablierten Technologie für GaAs/AlAs Bragg-Spiegel realisiert werden.
Wir stellen den ersten oberflächenemittierenden (GaIn)(NAs)/GaAs Laser vor, der bei 1300 nm emittiert und analysieren seine Emissionsdynamik nach Anregung mit kurzen optischen Pulsen [1]. Die Untersuchung der Temperaturabhängigkeit liefert Laseremission mit Pikosekunden-Dynamik über einen Temperaturbereich zwischen 30 K und 388 K [2].

[1] C. Ellmers et al., Appl. Phys. Lett. 74, 2271 (1999)

[2] A. Wagner et al., Appl. Phys. Lett. , in press.