Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.10: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:45–13:00, H13

Wachstum und Charakterisierung von GaInAsN für Laserdioden im 1.3µm-Bereich — •Marc Fischer, Michael Reinhardt, Jürgen Hofmann, Martin Kamp und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Das Materialsystem GaInAsN ermöglicht die Realisierung optoelektronischer Bauelemente im 1.3µm Bereich auf GaAs Substrat. Die hier vorgestellten Schichten wurden durch plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie (ECR-MBE) hergestellt und durch hochauflö-sende Röntgenbeugung und Photolumineszenz (PL) auf Zusammensetzung und Materialqualität untersucht. Durch eine gezielte Optimierung der Wachstumsparameter entstanden zunächst InGaAs Quantenfilmstrukturen mit einem In-Gehalt von bis zu 38 Prozent mit PL Emission (RT) bei 1190nm und sehr guter optischer Qualität. Durch den Einbau von bis zu 2 Prozent N konnte eine weitere Erhöhung der Emissionswellenlänge (PL bis 1480nm bei RT) erreicht werden. Hierbei wurde nur eine geringfügige Verschlechterung der optischen Qualität im Vergleich mit dem zugrundeliegenden InGaAs Quantenfilm festgestellt. Die optimierten GaInAsN Quantenfilme dienen dem Einsatz als aktive Schicht in Laserdioden. SCH-Laserstrukturen (SQW) zeigen 1.3µm-Laseremission im Dauerstrichbetrieb bei RT. Der Schwellenstrom für einen 4µm x 800µm ridge waveguide Laser beträgt 66 mA. Durch laterale Metall - Bragggitter konnten erste GaAs basierende DFB - Laser bei 1.3µm realisiert werden.